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Titre : | Simulation d’un Contact Métal-Semi Conducteur Pour des Application Photovoltaïques |
Auteurs : | Mahi adb el hamid, Directeur de thèse ; Bentahar Yacine, Auteur |
Type de document : | texte imprimé |
Editeur : | université Dr mouley tahar, Faculté de Science, Saida, Algerie : Alger: univ-saida, 2019 |
Format : | 51 p. / fig.;tab. / 27 cm. |
Note générale : | bibliographie |
Langues: | Français |
Catégories : | |
Mots-clés: | diode Schottky ; photovoltaïque |
Résumé : |
Dans ces dernières années, les efforts des chercheurs se dirigeaient vers la
performance des cellules solaires à base de GaAs qui ont été largement utilisées à cause de leur rendement élevé et leur faible dégradation face aux irradiations dans l’espace. Cependant, le rendement réalisé pour les premières cellules solaires était seulement de l’ordre de 10%. Ce problème a été résolu partiellement par la diminution de la recombinaison superficielle et volumique. Dans ce mémoire on va faire une Etude Comparative d’une Cellule Solaire à Barrière Schottky avec un semi-conducteur GaAs et semi-conducteur à bande interdite variable Al1-xGaxAs, et de traiter les effets de dopage, l'épaisseur de couche BSF et la vitesse de recombinaison superficielle S et le gradient de la bande interdite sur les résultats obtenues. |
Note de contenu : |
Chapitre I: Introduction sur la diode Schottky
Chapitre II : la conversion photovoltaïque Chapitre III : Résultats et discussions. |
Exemplaires (1)
Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
---|---|---|---|---|---|
SCT01688 | TPHMS00252 | Périodique | Salle des Thèses | Physique | Exclu du prêt |
Documents numériques (1)
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