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| Titre : | Etude théorique des propriétés électroniques et magnétiques de BeS dopé par le vanadium |
| Auteurs : | DOUMI. BENDOUMA, Directeur de thèse ; AISSAOUI .ABDERRAHMANE, Auteur |
| Type de document : | texte imprimé |
| Editeur : | Alger: univ-saida, 2015 |
| Format : | 79 p. / figure / 27 cm. |
| Note générale : | bibliographie |
| Langues: | Français |
| Langues originales: | Français |
| Catégories : | |
| Mots-clés: | Etude théorique / propriétés électroniques / magnétiques /BeS dopé / vanadium |
| Résumé : |
Nous avons utilisé les calculs de premier principe de la théorie de la fonctionnelle de la densité basés sur la méthode des ondes planes augmentées linéarisées (FP-LAPW) introduite dans le code WIEN2k pour investiguer les propriétés électroniques et demi-métalliques ferromagnéti-ques du semiconducteur sulfure de béryllium dopé par le vanadium Be 0.75 V 0.25 S.Par l’utilisation de l’approximation GGA-WC, nous avons calculé les paramètres structurales tels que le paramètre de réseau, le module de compressibilité, la première dérivée du module de compressibilité des deux matériaux BeS et Be 0.75 V 0.25 S. Pour le composé BeS, nos calculs sont en bon accord comparé à d’autres travaux théoriques.L’analyse des résultats des structures électroniques et propriétés magnétiques, nous a permis de constater en détails le caractère demi-métallique ferromagnétique du composé ternaire Be 0.75 V 0.25 S. A cause de la forte hybridation p-d entre des états p de l’atome de sulfure (S) et les états 3d de l’atome de vanadium (V) dominant le gap les structures électroniques des spins majoritaires sont métalliques, tandis que les spins minoritaires montrent un gap demi-métallique ferromagnétique et révèlent une propriété semiconductrice. Le caractère demi-métallique du matériau Be 0.75 V 0.25 S est confirmé par le nombre entier 3μ B du moment magnétique total.
En fin nous avons montré que le matériau Be 0.75 V 0.25 Se est demi-métallique ferromagnétique qui montre un gap semi-métallique avec une polarisation en spin magnétique égale à 100 %, et il est prédit comme un candidat promoteur pour les applications de l’électronique de spin. |
| Note de contenu : |
1 semiconducteurs magnétiques dilués (DMS)
2 la theorie fonctionnelles de la densite (DFT) 3 méthode des ondes planes augmentées linéarisee (FP-LAPW) |
Exemplaires (2)
| Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
|---|---|---|---|---|---|
| SCT01036 | TPHMS00098 | Périodique | Salle des Thèses | Physique | Exclu du prêt |
| SCT01037 | TPHMS00099 | Périodique | Salle des Thèses | Physique | Disponible |
Documents numériques (1)
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